）都是在电子范畴中常见的器材。尽管它们都用于功率电子使用，但在结构、资料、功能和使用方面存在一些明显差异。本文将
排名及比例 /
分立器材（Hybrid SiC Discrete Devices）将新式场截止
肖特基二极管技能相结合，为硬开关拓扑打造了一个统筹质量和性价比的完美计划。该器材将传统
的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器材功率更加高，作业速度更快
的短路维护电路时，主张将短路维护的检测延时和相应时刻设置在5-8μs较为适宜。2）
基MOSFET充电器计划可节约15%本钱加速上市等于减少了时刻本钱半导体
一般都经过参阅规划为其器材供给广泛的支撑。关于上面说到的OBC使用，Wolfspeed的
，然后协助客户有用缩短产品研讨开发周期，提高作业功率。产品特色沟槽型、低RDS（on）
作业的可靠性。此外，铝带、铜带衔接工艺因其更大的截流才能、更好的功率循环以及散热才能，也有望为
供给更佳的解决计划。图 11 所示分别为铜键合线、铜带衔接方法。锡片或锡膏常用于芯片
上车高湿测验 /
°C。体系可靠性大大增强，安稳的超快速本体二极管，因而无需外部续流二极管。三、
SiC电力电子器材的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
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